工業背景：
芯片制程微縮技術一直驅動著摩爾定律的延續。從1987年的1um制程到2015年的14nm制程，芯片制程迭代速度一直遵循摩爾定律的規律，即芯片上可以容納的晶體管數目在大約每經過18個月到24個月便會增加一倍。但2015年以后，芯片制程的發展速度進入了瓶頸期，7nm、5nm制程的芯片量產進度均落后于預期。全球領先的晶圓代工廠臺積電3nm制程芯片量產遇阻，2nm制程芯片的量產更是排到了2024年后，芯片制程工藝已接近物理尺寸的極限1nm。
芯片3D封裝，又稱為疊層芯片封裝技術，是指在不改動封裝體尺寸的前提下，在一個封裝體內的垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術。
我國芯片產業發展迅速，封裝技術發展接近國際先進水平。
Particle檢測標準：
我們先從Particle的檢測來聊一聊。半導體潔凈室等級通常按照 來進行區分。在wafer to wafer level 形式的先進封裝工藝中，由于對整個wafer的共面性要求極高，工作區域的潔凈度控制甚至要比現在ISO 1級要求更高。ISO 1級要求每立方米不高于10個0.1微米的顆粒，而wafer to wafer level 先進封裝的工作區域潔凈度要小于5個0.1微米的顆粒，才能保障健康的良率。
那顆粒數量如何快速計算呢？
顆粒尺寸及數量分布通常有四種方法：Laser diffraction激光衍射（<0.1um-8750um）, Dynamic Image Analysis 動態圖像分析（<1um-34000um），Ultrasonic Extinction超聲波消光（<0.1um-3000um），Dynamic Light Scattering 動態光散射（<0.5nm-10000nm）。
光學傳感器來檢測空氣中的微小顆粒Particle。當顆粒通過傳感器時，它們散射光線，這些散射的光線被計數并記錄。通過比較顆粒計數與預定的標準，可以確定潔凈度水平。
如果發現顆粒問題，進行追溯分析以確定顆粒的來源，并采取措施來防止再次發生。
上海京燦壓縮空氣質量檢測經驗豐富，除了Particle檢測，0.0001mg/m3的油含量，露點-80℃的檢測，均能檢測，更有多款壓縮空氣檢測儀可供選擇。
